關于在半導體領域的應用，我們通常集中在制造過程的后端封裝環(huán)節(jié)：Sensofar的產(chǎn)品可以用來表征關鍵尺寸，表征材料的粗糙度，以及進行缺陷檢測等。

碳化硅基晶圓

由于其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性與特殊的電子傳輸特性，以碳化硅基晶圓為基礎的芯片在很多新興電子器件比如說5G通訊等領域得到了廣泛應用。在制備碳化硅基集成電路時，通常采用的是化學氣相沉積技術。對其表面形貌的測量與表征對于了解其晶體生長過程是否均勻很有必要。SensoVIEW可以通過ISO標準規(guī)定的各空間，高度，以及混合參數(shù)來表征材料的形貌。

蝕刻電路

在蝕刻工藝之后，通常需要評估所得特征的高度。SensoPRO 軟件中的 Step Height 插件通過檢測形貌中的兩個不同高度的平面來計算該臺階高度。無論分析的圖案如何，都可以立即識別出該臺階特征。 為了確保測量的最佳精度，該處使用了 干涉測量法。

3D 十字切口

衡量芯片分割的質(zhì)量通常有兩個主要參數(shù)來表征：高度，以確保底部沒有被損壞；寬度，這是衡量切割質(zhì)量的標準。 Cross kerf 插件 不僅可以檢測十字并提取所需的參數(shù)，還可以調(diào)平表面以確保晶圓中的現(xiàn)有角度不會影響提取的數(shù)據(jù)。對于此應用，這些分割特征的高縱橫比使得測量非常具有挑戰(zhàn)性，只有 Ai Focus Variation 才能合適的解決此應用中存在的問題。

鈍化層孔

鈍化層上的孔決定了芯片與引線鍵合的通路。
孔插件 可以測量直徑從50微米到2毫米的孔，在此應用中非常實用。

孔內(nèi)薄膜厚度

S neox 擴展了 反射光譜儀的應用，因為它可以使用低至3微米的光斑測量直徑非常小的孔上的薄膜厚度！

通過表面測量管控晶片翹曲

該晶圓經(jīng)過了不同的工序，其表面有不同的特征點。
紋理化工藝處理使得這些特征點表面非常粗糙，因此可以用 S wide來測量。
在高溫環(huán)境實施的外延生長薄膜工藝使得晶圓有可能產(chǎn)生變形。 為了評估這一點，我們用SensoVIEW測量了特征結構之間的距離，
看它們是否符合預期的長度，由此來判斷晶圓是否有形變。