在半導體、精密光學等制造領(lǐng)域，表面測量常面臨 “精度" 與 “范圍" 的兩難 —— 白光干涉（CSI）能掃數(shù)百微米卻難及納米級精度，相移干涉（PSI）達亞納米精度卻量程受限。而 Sensofar 的 ePSI 技術(shù)，用創(chuàng)新融合破解了這一難題。

ePSI 的核心，是讓 CSI 與 PSI “強強聯(lián)手"：依托 CSI 實現(xiàn)數(shù)百微米的寬范圍掃描，覆蓋宏觀輪廓到中觀結(jié)構(gòu)；借助 PSI 達成 0.1nm 的亞納米級分辨率，精準捕捉微小劃痕、薄膜厚度差異。無需頻繁換設(shè)備、調(diào)參數(shù)，一次測量就能兼顧全局與細節(jié)。

這一技術(shù)已在關(guān)鍵領(lǐng)域落地：半導體行業(yè)用它檢測晶圓，先掃全局定位翹曲，再精細測量納米級電路高度差，助力良率提升；精密光學領(lǐng)域靠它校準鏡頭，一次性搞定透鏡曲率與納米級光潔度檢測；新材料測試中，它能無損測量納米薄膜厚度，誤差控制在 0.2nm 內(nèi)。

從解決傳統(tǒng)技術(shù)痛點，到為制造提效賦能，ePSI 正成為高精度表面檢測的 “標配選擇"，推動產(chǎn)業(yè)質(zhì)量標準再升級。