PicoFemto透射電鏡原位MEMS加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)澤攸透射電鏡原位MEMS加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)，透射電子顯微鏡是提供在較高時(shí)間分辨率下得到原子級(jí)空間分辨率的實(shí)驗(yàn)手段。
 

透射電子顯微鏡原位加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿內(nèi)安裝MEMS工藝制成的微加熱芯片和電學(xué)測量芯片。微加熱芯片可對(duì)樣品進(jìn)行可控溫度的加熱，電學(xué)測量芯片可對(duì)樣品進(jìn)行電性質(zhì)測量。并可在進(jìn)行加熱和電學(xué)測量的同時(shí)，動(dòng)態(tài)、高分辨地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征，大大地?cái)U(kuò)展了透射電子顯微鏡的功能與應(yīng)用領(lǐng)域。
 

澤攸透射電鏡原位MEMS加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)硬件包括兩部分，分別是加熱/電學(xué)測量控制器、原位MEMS芯片樣品桿。軟件包括自動(dòng)控溫軟件和自動(dòng)電學(xué)測量軟件。

性能指標(biāo)：

1.透射電子顯微鏡指標(biāo)：

（1）兼容指*型號(hào)電鏡及極靴；

（2）單傾可選高傾角版本；

（3）可選雙傾版本，β角傾轉(zhuǎn)±25°（同時(shí)受限于極靴）；

（4）測量電極數(shù)可選。

2.電學(xué)測量指標(biāo)：

（1）包含一個(gè)電流電壓測試單元；

（2）電壓輸出Z大±200 V，Z小±100 nV；

（3）電流測量Z大±1.5 A，Z小100 fA；

（4）恒壓或者恒流模式；

（5）自動(dòng)電流-電壓（I-V）測量、電流-時(shí)間（I-t）測量，自動(dòng)保存。

3.加熱與溫控指標(biāo)：

（1）溫度控制范圍：室溫到1200 ℃；

（2）加熱功率：Z大30 W；

（3）控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃；

（4）Z大升溫速率：1000 ℃/ms。