澤攸ZEM20Ultro臺(tái)式場發(fā)射掃描電子顯微鏡是專為科研與工業(yè)場景設(shè)計(jì)的緊湊型高分辨率成像設(shè)備，其核心參數(shù)覆蓋廣泛的應(yīng)用需求。設(shè)備采用冷場發(fā)射電子槍，曲率半徑小于10nm的鎢單晶針尖可穩(wěn)定發(fā)射高亮度電子束，使用壽命超2000小時(shí)。加速電壓范圍3kV-20kV連續(xù)可調(diào)，1kV步進(jìn)，在30kV時(shí)分辨率達(dá)1.5nm，1kV時(shí)為10nm，可清晰捕捉納米級微觀結(jié)構(gòu)。放大倍數(shù)范圍200-360,000倍，適配從宏觀全貌到納米細(xì)節(jié)的觀測需求。

樣品臺(tái)采用五軸全自動(dòng)設(shè)計(jì)，X/Y/Z三軸行程分別達(dá)90mm/50mm/32mm，旋轉(zhuǎn)角度360°，傾斜范圍-10°-90°，移動(dòng)精度1μm。配合光學(xué)CCD導(dǎo)航與艙內(nèi)攝像頭，可實(shí)現(xiàn)快速精準(zhǔn)定位。真空系統(tǒng)支持高真空（≤1×10??Pa）與低真空（1-100Pa）雙模式，高真空模式抽真空時(shí)間小于30秒，低真空模式可無需鍍膜直接觀測非導(dǎo)電樣品，避免傳統(tǒng)設(shè)備因鍍膜掩蓋缺陷的問題。

澤攸ZEM20Ultro臺(tái)式場發(fā)射掃描電子顯微鏡憑借高分辨率成像能力與靈活樣品適配性，成為納米材料研發(fā)領(lǐng)域的核心工具。設(shè)備采用冷場發(fā)射電子槍，30kV加速電壓下分辨率達(dá)1.5nm，1kV下為10nm，可清晰捕捉金納米顆粒（粒徑5-50nm）、碳納米管（管徑2-10nm）等樣品的微觀形貌。其五軸全自動(dòng)樣品臺(tái)支持X/Y/Z三軸電動(dòng)移動(dòng)，行程50mm×50mm×20mm，移動(dòng)精度1μm，適配塊狀、粉末、薄膜等多種形態(tài)樣品。低真空模式（1Pa-100Pa）無需鍍膜即可直接觀測非導(dǎo)電樣品，避免傳統(tǒng)設(shè)備因鍍膜掩蓋缺陷的問題。設(shè)備尺寸850mm×650mm×1000mm，重量約120kg，適配普通實(shí)驗(yàn)臺(tái)，無需特殊防震裝置，降低實(shí)驗(yàn)室空間與成本門檻。