LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)地質(zhì)與電子領(lǐng)域應(yīng)用

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LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)地質(zhì)與電子領(lǐng)域應(yīng)用
地質(zhì)研究中，TS1500 可模擬巖漿冷卻、礦物相變過(guò)程，為地質(zhì)演化分析提供數(shù)據(jù)。

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更新時(shí)間：2025-10-23

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LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)地質(zhì)與電子領(lǐng)域應(yīng)用

一、地質(zhì)樣品熔融與相變研究應(yīng)用

地質(zhì)研究中，TS1500 可模擬巖漿冷卻、礦物相變過(guò)程，為地質(zhì)演化分析提供數(shù)據(jù)。以玄武巖熔融實(shí)驗(yàn)為例：

（一）實(shí)驗(yàn)核心配置

樣品處理：將玄武巖破碎后壓制成直徑 8mm、厚度 0.8mm 薄片，表面無(wú)雜質(zhì)；

設(shè)備適配：換剛玉熱電偶保護(hù)套管（耐 1800℃），加熱區(qū)域通氬氣（流量 30mL/min）防樣品氧化；

程序設(shè)置：段 1（室溫→1000℃，速率 20℃/min），段 2（1000℃→1500℃，速率 10℃/min），段 3（1500℃保溫 60 分鐘），段 4（1500℃→室溫，速率 5℃/min）。

（二）關(guān)鍵過(guò)程與結(jié)果

熔融監(jiān)測(cè)：軟件曲線顯示 1280℃出現(xiàn)拐點(diǎn)（熔融起始），1350℃曲線平緩（全熔融），與玄武巖理論熔融溫度吻合；

數(shù)據(jù)應(yīng)用：結(jié)合顯微鏡觀察，1500℃保溫階段記錄熔體流動(dòng)狀態(tài)，為巖漿黏度研究提供依據(jù)；降溫階段捕捉礦物結(jié)晶溫度（如輝石在 1100℃開(kāi)始結(jié)晶），輔助重建地質(zhì)體冷卻歷史。

二、電子元件耐高溫可靠性測(cè)試應(yīng)用

電子領(lǐng)域中，TS1500 可測(cè)試芯片、封裝材料耐高溫性能，以芯片封裝環(huán)氧樹脂測(cè)試為例：

（一）實(shí)驗(yàn)核心配置

樣品處理：取封裝環(huán)氧樹脂切片（直徑 8mm、厚度 0.5mm），保留芯片與樹脂結(jié)合面；

設(shè)備適配：用 K 型熱電偶（不銹鋼套管），樣品直接放加熱面（無(wú)需夾具）；

程序設(shè)置：段 1（室溫→800℃，速率 5℃/min），段 2（800℃保溫 30 分鐘），段 3（800℃→室溫，速率 10℃/min）。

（二）關(guān)鍵過(guò)程與結(jié)果

失效監(jiān)測(cè)：450℃時(shí)樣品出現(xiàn)微裂紋（軟件聯(lián)動(dòng)顯微鏡觀察），600℃樹脂開(kāi)始碳化，記錄失效溫度區(qū)間；

數(shù)據(jù)應(yīng)用：根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，建議該環(huán)氧樹脂封裝芯片的工作溫度不超過(guò) 400℃，為電子設(shè)備耐高溫設(shè)計(jì)提供參考。

三、場(chǎng)景適配操作要點(diǎn)

地質(zhì)樣品：高溫段（1000℃以上）速率≤10℃/min，避免樣品崩裂；通惰性氣體時(shí)，確保加熱區(qū)域密封性，防止氣體泄漏影響溫度均勻性；

電子樣品：低溫段（室溫→500℃）密切觀察樣品形變，發(fā)現(xiàn)異常立即暫停實(shí)驗(yàn)；保溫階段記錄加熱功率變化，功率驟降可能提示樣品分解；

通用注意：實(shí)驗(yàn)前校準(zhǔn)熱電偶（用標(biāo)準(zhǔn)金屬熔點(diǎn)驗(yàn)證，如錫 231.9℃），確保測(cè)溫誤差≤±0.5℃；樣品尺寸嚴(yán)格匹配加熱區(qū)域（直徑≤10mm），避免超出部分受熱不均。

通過(guò)地質(zhì)與電子領(lǐng)域的針對(duì)性應(yīng)用，TS1500 以寬溫域與精準(zhǔn)控溫，快速滿足不同場(chǎng)景的核心實(shí)驗(yàn)需求，為研究與測(cè)試提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

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